一种交直流磁粉探伤仪电源处理电路和磁粉探伤仪的制造的进程_5_磁粉探伤仪_火狐浏览器网页版入口_火狐2024最新版
火狐浏览器网页版入口_火狐2024最新版欢迎您!主营:探伤机、探伤仪、磁粉探伤机、磁粉探伤仪、退磁机
火狐官方官网新浪微博|火狐官方官网腾讯微博
火狐官方官网-磁粉探伤机

10年用心磨砺 · 诚信铸就品质、创新打造未来

致力无损检测装备智造 品质保证

火狐官方官网-联系电话

24小时咨询热线

0515-82354499

13962042555

首页 > 产品中心 > 磁粉探伤仪

一种交直流磁粉探伤仪电源处理电路和磁粉探伤仪的制造的进程_5

时间: 2025-08-03 03:01:22 |   作者: 磁粉探伤仪

  • 产品中心

  

一种交直流磁粉探伤仪电源处理电路和磁粉探伤仪的制造方法_5

  4.依据权利要求1所述的交直流磁粉探伤仪电源处理电路,其特征是,所述电压改换电路包含IRS21867S型的芯片U2、IRS21867S型的芯片U3、RSlM型的稳压二极管D9、电容 C25、电阻 R25、LL4148 型的二极管 D5、电阻 R26、IPD65R190C7 型的 MOS 管 Q6、电阻 R27、LL4148 型的二极管 D6、电阻 R30、IPD65R190C7 型的 MOS 管 Q7、电感 L2、IPD65R190C7 型的MOS 管 Q8、电阻 R31、LL4148 型的二极管 D7、电阻 R28、IPD65R190C7 型的 MOS 管 Q9、电阻 R32、LL4148型的二极管D8、电阻R29、电容C26、RSlM型的稳压二极管D10、电阻R33、LL4148型的二极管D11、电阻R37、IPD65R190C7型的MOS管Q10、电阻R34、LL4148型的二极管D12、电阻 R38、IPD65R190C7 型的 MOS 管 Ql 1、电阻 R4UIPD65R190C7 型的 MOS 管 Q12、电阻 R39、LL4148 型的二极管 D14、电阻 R35、IPD65R190C7 型的 MOS 管 Q13、电阻 R40、LL4148 型的二极管D13、电阻R36、电阻R42、TL431/CYL型的精细稳压管U5、电阻R44、电阻R45、电容C27、电容C28、TL331MDBVTEP型的运算放大器U4、电阻R43 ; U2的第I管脚别离衔接V-SYS端、D9的正极,U2的第4管脚别离衔接R37的一端、QlO的源极、R38的一端、Qll的源极、R41的一端、Q12的源极、R39的一端、Q13的源极、R40的一端、C28的一端、U4的输入IN+端、U3的第4脚,C28的另一端接地,U2的第5管脚别离衔接R33的一端、Dll的负极、R34的一端、D12的负极,U2的第6管脚别离衔接C25的负极、R26的一端、Q6的源极、QlO的漏极、R30的一端、Q7的源极、Qll的漏极、L2的一端,U2的第7管脚别离衔接R25的一端、D5的负极、R27的一端、D6的负极,U2的第8管脚别离衔接C25的正极、D9的负极; U3的第I管脚别离衔接V-SYS端、DlO的正极,U3的第5管脚别离衔接R36的一端、D13的负极、R35的一端、D14的负极,U3的第6管脚别离衔接C26的负极、R32的一端、Q9的源极、Q13的漏极、R31的一端、Q8的源极、Q12的漏极、L2的另一端,U3的第7管脚别离衔接R29的一端、D8的负极、R32的一端、R28的一端、D7的负极,U3的第8管脚别离衔接C26的正极、DlO的负极; R33的另一端别离衔接Dll的正极、R37的另一端、QlO的栅极,R34的另一端别离衔接D12的正极、R38的另一端、Qll的栅极,R27的另一端别离衔接D6的正极、R30的另一端、Q7的栅极,R25的另一端别离衔接D5的正极、R26的另一端、Q6的栅极,R29的另一端别离衔接D8的正极、R32的另一端、Q9的栅极,R28的另一端别离衔接D7的正极、R31的另一端、Q8的栅极,R36的另一端别离衔接D13的正极、R40的另一端、Q13的栅极,R35的另一端别离衔接D14的正极、R39的另一端、Q12的栅极,Q6的漏极衔接VH端,Q7的漏极衔接VH端,Q8的漏极衔接VH端,Q9的漏极衔接VH端; U4的输入IN-端别离衔接C27的一端、R45的一端、R44的一端,R45的另一端、C27的另一端均接地,R44的另一端别离衔接R42的一端、U5的负极、U5的可调输出端,R42的另一端衔接V-SYS端,U5的正极接地,U4的输出端衔接R43的一端,R43的另一端别离衔接V-SYS端、U4的电压输入正极,U4的电压输入负极接地。

  5.依据权利要求1所述的交直流磁粉探伤仪电源处理电路,其特征是,所述交直流磁粉探伤仪电源处理电路还包含锂电办理电路,所述锂电办理电路衔接所述升压电路,所述锂电办理电路包含BQ24610型的芯片U1、SI7617DN型的芯片Q1、SI7617DN型的芯片Q2、SI7617DN型的芯片Q3、Sis412DN型的芯片Q4、Sis412DN型的芯片Q5、接口插座J1、保险丝F1、电容C10、电容C11、电阻R3、电阻R4、电容C6、电阻R6、电阻R1、电阻R2、电容C12、电容C7、电容C8、电容C9、电阻R7、电阻R5、电容Cl、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电阻R12、电阻R14、电阻R15、发光二极管D3、发光二极管D4、发光二极管D2、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电容C22、电容C13、BAT54C型的双向稳压芯片D1、电容C19、电容C20、6.8mH型的电感L1、电阻R13、电容C16、电阻R16、电阻R20、电容C21、电容C17、电容C18、电容C14、电容C15、接口插座J2、电阻R21、电阻R23、电阻R24、电阻R22、电容C23、电容C24 ; Ul的第I管脚别离衔接C7的一端、R2的一端、Q4的第5脚、R5的一端、Cl的一端、Q3的第5脚、C2的一端、C3的一端、C4的一端、C5的一端、V-SYS端,Ul的第2管脚别离衔接C7的另一端、C12的一端、R2的另一端、Q2的第5脚,C12的另一端接地,Ul的第3管脚衔接Rll的一端,Ul的第11管脚别离衔接RlO的一端、R19的一端,Ul的第15管脚别离衔接R9的一端、R18的一端,Ul的第16管脚别离衔接R8的一端、R17的一端,R17的另一端、R18的另一端、R19的另一端均接地,R8的另一端、R9的另一端、RlO的另一端均衔接Vref端,Ul的第10管脚别离衔接C22的一端、Vref端、Ul的第4管脚,C22的另一端接地,Ul的第5管脚衔接D2的负极,Ul的第9管脚衔接D4的负极,Ul的第8管脚衔接D3的负极,Ul的第6管脚别离衔接C23的一端、R22的一端,C23的另一端接地,R22的另一端别离衔接R21的一端、R23的一端、R24的一端,R21的另一端衔接Vref端,R23的另一端、R24的另一端均接地,Ul的第25管脚接地,Ul的第7管脚衔接C24的一端,C24的另一端接地,Ul的第12管脚别离衔接R20的一端、R16的一端、C21的一端,R20的另一端接地,Ul的第13管脚别离衔接C16的一端,R13的一端、Q3的第I脚、Q3的第2脚、Q3的第3脚、R16的另一端、C21的另一端、C17的一端、C18的一端、C14的一端、C15的一端、J2的第2脚,C17的另一端、C18的另一端、C14的另一端、C15的另一端、J2的第I脚、J2的第3脚均接地,Ul的第14管脚别离衔接C16的另一端、R13的另一端、LI的一端、C20的一端,C20的另一端接地,Ul的第17管脚接地,Ul的第19管脚衔接Q5的第4脚,Q5的第I脚、Q5的第2脚、Q5的第3脚均接地,Ul的第18管脚衔接Dl的正极、C19的一端,C19的另一端接地,Ul的第22管脚别离衔接Dl的负极、C13的一端,Ul的第20管脚别离衔接C13的另一端、Q4的第I脚、Q4的第2脚、Q4的第3脚、Q5的第5脚、LI的另一端,Ul的第21管脚衔接Q4的第4脚,Ul的第23管脚衔接R7的一端,Ul的第24管脚别离衔接C8的一端、C9的一端、Rl的一端,C8的另一端、C9的另一端均接地; Jl的第I脚接地,Jl的第2脚衔接Fl的一端,Fl的另一端别离衔接R23的一端、R24的一端、Ql的第5脚、R12的一端、R14的一端、R15的一端,R12的另一端衔接D3的正极,R14的另一端衔接D4的正极,R15的另一端衔接D2的正极,R23的另一端衔接ClO的一端,ClO的另一端接地,R24的另一端衔接Cll的一端,Cll的另一端接地,Ql的第I脚、Ql的第2脚、Ql的第3脚均衔接C6的一端,C6的另一端别离衔接Ql的第4脚、R6的一端、Rll的另一端、Q2的第4脚,R6的另一端别离衔接Q2的第I脚、Q2的第2脚、Q2的第3脚、Rl的另一端;R7的另一端别离衔接R5的另一端、Cl的另一端、Q3的第4脚。

  6.依据权利要求1所述的交直流磁粉探伤仪电源处理电路,其特征是,所述交直流磁粉探伤仪电源处理电路还包含LED恒流驱动电路,所述LED恒流驱动电路和操控电路衔接,所述LED恒流驱动电路包含LM5001MA/N0PB型的芯片U8、LM3414HVMR/NOPB型的芯片U9、电感L3、电阻R58、SS34型的稳压二极管D20、电容C42、电容C43、电阻R57、电阻R56、电阻R59、电容C39、电容C40、电阻R60、电阻R61、电感L4、SS34型的稳压二极管D21、发光二极管D22、发光二极管D23、发光二极管D24、电容C41 ; U8的第I管脚别离衔接D20的正极、L3的一端,U8的第2管脚别离衔接L3的另一端、V-SYS端,U8的第3管脚衔接C43的一端,C43的另一端接地,U8的第4管脚别离衔接R58的一端、接地端,U8的第5管脚衔接R58的另一端,U8的第6管脚别离衔接R57的一端、R56的一端、R59的一端,R59的另一端接地,U8的第7管脚衔接C42的一端,C42的另一端衔接R57的另一端,U9的第I管脚衔接C40的一端,U9的第2管脚别离衔接C40的另一端、接地端,U9的第3管脚衔接R60的一端,R60的另一端接地,U9的第4管脚接地,U9的第5管脚衔接R61的一端,R61的另一端接地,U9的第7管脚别离衔接D21的正极、L4的一端,U9的第8管脚别离衔接D21的负极、D22的正极、C41的一端、C39的一端、R56的另一端、D20的负极,C39的另一端接地、D22的负极衔接D23的正极,D23的负极衔接D24的正极,D24的负极衔接L4的另一端,C41的另一端接地。

  7.—种磁粉探伤仪,其特征是,包含如权利要求1-6恣意一项所述的交直流磁粉探伤仪电源处理电路。

  【专利摘要】本实用新型触及一种交直流磁粉探伤仪电源处理电路和磁粉探伤仪,包含升压电路、操控电路和电压改换电路,所述操控电路别离和升压电路、电压改换电路衔接,所述升压电路将输入电源升压为直流电压后输入操控电路,所述操控电路操控电压改换电路,将输入的直流电压转换为沟通电和直流电,所述沟通电和直流电分时输出。可见,一种交直流磁粉探伤仪电源处理电路和磁粉探伤仪,集成了直流和沟通两种探伤作业形式,可在不替换探伤仪的前提下对工件进行外表缺点、近外表缺点和深埋缺点的全面检测,简略易操作且运用起来更快捷。